Die Lösung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde

T. Kormány, G. Nagy

Research output: Contribution to journalArticle

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Abstract

Es wird ein Überblick gegeben über die Anwendung der Elektronenstrahlmikrosonde zur chemischen Analyse von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie zur Untersuchung von pn‐Übergängen. Die Untersuchungsergebnisse beziehen sich auf den Nachweis von Ausscheidungsvorgängen der Verunreinigungen und deren Auswirkung auf die elektrischen Parameter der Halbleiterbauelemente. Es wird gezeigt, daß die Anwendung der Induzierten‐Stromsignal‐Methode die Abbildung der pn‐Übergänge und den Nachweis verschiedener Fehlermechanismen ermöglicht.

Original languageGerman
Pages (from-to)1201-1208
Number of pages8
JournalKristall und Technik
Volume8
Issue number11
DOIs
Publication statusPublished - 1973

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  • Chemistry(all)
  • Materials Science(all)
  • Condensed Matter Physics

Cite this

Die Lösung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde. / Kormány, T.; Nagy, G.

In: Kristall und Technik, Vol. 8, No. 11, 1973, p. 1201-1208.

Research output: Contribution to journalArticle

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TY - JOUR

T1 - Die Lösung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde

AU - Kormány, T.

AU - Nagy, G.

PY - 1973

Y1 - 1973

N2 - Es wird ein Überblick gegeben über die Anwendung der Elektronenstrahlmikrosonde zur chemischen Analyse von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie zur Untersuchung von pn‐Übergängen. Die Untersuchungsergebnisse beziehen sich auf den Nachweis von Ausscheidungsvorgängen der Verunreinigungen und deren Auswirkung auf die elektrischen Parameter der Halbleiterbauelemente. Es wird gezeigt, daß die Anwendung der Induzierten‐Stromsignal‐Methode die Abbildung der pn‐Übergänge und den Nachweis verschiedener Fehlermechanismen ermöglicht.

AB - Es wird ein Überblick gegeben über die Anwendung der Elektronenstrahlmikrosonde zur chemischen Analyse von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie zur Untersuchung von pn‐Übergängen. Die Untersuchungsergebnisse beziehen sich auf den Nachweis von Ausscheidungsvorgängen der Verunreinigungen und deren Auswirkung auf die elektrischen Parameter der Halbleiterbauelemente. Es wird gezeigt, daß die Anwendung der Induzierten‐Stromsignal‐Methode die Abbildung der pn‐Übergänge und den Nachweis verschiedener Fehlermechanismen ermöglicht.

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=84984330569&partnerID=8YFLogxK

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U2 - 10.1002/crat.19730081102

DO - 10.1002/crat.19730081102

M3 - Article

AN - SCOPUS:84984330569

VL - 8

SP - 1201

EP - 1208

JO - Crystal Research and Technology

JF - Crystal Research and Technology

SN - 0232-1300

IS - 11

ER -